2026年nián，AI产chǎn业yè的de竞jìng争焦jiāo点diǎn正zhèng在zài发fā生显xiǎn著转移yí。大dà模mó型xíng加jiā速sù落地普pǔ及之后，单dān纯堆duī砌算suàn力lì难nán以yǐ支zhī撑业yè务wù运yùn转，内nèi存cún带dài宽kuān与yǔ容róng量liàng不bù足，已yǐ然成chéng为wèi行业yè发fā展zhǎn的de主要yào制zhì约yuē因yīn素。

市shì场chǎng刚需xū持chí续xù走zǒu高gāo，叠dié加jiā头部bù厂chǎng商shāng产chǎn能néng向xiàng高gāo端duān品pǐn类集中zhōng，通用yòng内nèi存cún供给持chí续xù偏紧，行情顺shùn势走zǒu强qiáng。据jùTrendForce集邦咨询xún报bào告，2026年nián一yī季jì度整zhěng体一yī般型xíngDRAM(Conventional DRAM)价jià格gé季jì增zēng93-98%，并预yù估gū第dì二季jì仍将jiāng季jì增zēng58-63%。

当dāng前qián，内nèi存cún已yǐ成chéng为wèi支zhī撑整zhěng个智zhì能néng生态tài运yùn转的de重zhòng要yào资zī源。

三sān大dà国guó际原yuán厂chǎng业yè绩爆bào发fā，尽享xiǎngAI红利lì

AI超chāo级jí周期下xià，三sān大dà内nèi存cún原yuán厂chǎng尽享xiǎngAI时代dài红利lì，2026年nián一yī季jì度财cái报bào均jūn实shí现xiàn爆bào发fā式shì增zēng长zhǎng，同tóng时聚焦jiāoHBM、AI服fú务wù器qì内nèi存cún等děng高gāo端duān领域。

三sān星xīng电diàn子zi作zuò为wèi全球qiú内nèi存cún龙头，2026年niánQ1官guān方fāng财cái报bào显xiǎn示shì，当dāng期营收shōu133.9万wàn亿yì韩hán元yuán（约yuē899亿yì美měi元yuán），同tóng比bǐ增zēng长zhǎng69%；营业yè利lì润57.2万wàn亿yì韩hán元yuán（约yuē385亿yì美měi元yuán），同tóng比bǐ激增zēng756%，创韩hán国guó企业yè单dān季jì盈利lì纪jì录。其qí中zhōng，半bàn导体部bù门营收shōu81.7万wàn亿yì韩hán元yuán（约yuē548亿yì美měi元yuán），营业yè利lì润53.7万wàn亿yì韩hán元yuán（约yuē360亿yì美měi元yuán），贡献94%总zǒng利lì润，HBM相xiāng关guān收shōu入同tóng比bǐ增zēng长zhǎng超chāo三sān倍bèi。

三sān星xīng表biǎo示shì，包括kuòDRAM和NAND在zài内nèi的de内nèi存cún平píng均jūn售价jià较2025年nián全年nián平píng均jūn价jià格gé上shàng涨zhǎng了约yuē146%。并指出chū其qíDS部bù门的de内nèi存cún业yè务wù继续xù看到对高gāo性能néngDRAM（如HBM4和DDR5）的de强qiáng劲jìn需xū求qiú。

SK海hǎi力lì士shì2026年niánQ1财cái报bào表biǎo现xiàn亮liàng眼，营收shōu52.58万wàn亿yì韩hán元yuán（约yuē379亿yì美měi元yuán），同tóng比bǐ+198%；营业yè利lì润37.61万wàn亿yì韩hán元yuán（约yuē254亿yì美měi元yuán），利lì润率lǜ72%。

SK海hǎi力lì士shì当dāng季jì的deDRAM位元yuán出chū货量liàng与yǔ上shàng一yī季jì度基本běn持chí平píng，而ér平píng均jūn售价jià上shàng涨zhǎng了60%左zuǒ右，这zhè主要yào得益于yú主流liúDRAM价jià格gé上shàng涨zhǎng势头的de增zēng强qiáng。

美měi光guāng科kē技jì2026年niánQ2实shí现xiàn扭niǔ亏为wèi盈，营收shōu238.6亿yì美měi元yuán，同tóng比bǐ+196%；净jìng利lì润52.4亿yì美měi元yuán。据jù美měi光guāngCFO Mark Murphy在zài2026财cái年nián第dì二财cái季jì电diàn话会上shàng披露lù，公gōng司sī当dāng前qián策cè略聚焦jiāo三sān大dà方fāng向xiàng：一yī是shì加jiā速sùHBM产chǎn品pǐn追赶gǎn，缩小与yǔ韩hán厂chǎng差chà距jù；二是shì绑定CXL生态tài，布bù局júAI服fú务wù器qì内nèi存cún市shì场chǎng；三sān是shì推tuī进车载zài、工gōng业yè级jí内nèi存cún差chà异化huà布bù局jú，严格gé控kòng制zhì消xiāo费级jíDRAM出chū货，优yōu先保bǎo障AI服fú务wù器qì与yǔ车用yòng订单dān。

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HBM赛道dào产chǎn能néng争夺duó白热化huà

HBM（High Bandwidth Memory，高gāo带dài宽kuān内nèi存cún）是shì通过3D堆duī叠dié技jì术shù集成chéng的de高gāo性能néng内nèi存cún，核hé心xīn优yōu势为wèi高gāo带dài宽kuān、低dī功gōng耗hào、小体积，单dān颗带dài宽kuān可kě达dá2TB/s以yǐ上shàng，是shìAI服fú务wù器qì、高gāo端duān显xiǎn卡的de核hé心xīn支zhī撑。

HBM作zuò为wèiAI算suàn力lì核hé心xīn，直接决jué定AI服fú务wù器qì性能néng上shàng限，已yǐ成chéng为wèi三sān大dà厂chǎng商shāng的de竞jìng争焦jiāo点diǎn，各家均jūn加jiā大dà研yán发fā与yǔ产chǎn能néng投tóu入，全力lì抢占高gāo端duān市shì场chǎng。

据jùTrendForce集邦咨询xún调研yán数据jù，2026年nián全球qiúHBM生产chǎn位元yuán占比bǐ，SK海hǎi力lì士shì、三sān星xīng、美měi光guāng分别为wèi50%、28%、22%。

1、SK海hǎi力lì士shì计jì划huà下xià半bàn年nián提tí供HBM4E样yàng品pǐn

SK海hǎi力lì士shì稳居jūHBM全球qiú龙头，公gōng司sī预yù计jì未wèi来lái三sān年nián来lái自客kè户的deHBM需xū求qiú将jiāng远yuǎn远yuǎn超chāo出chū公gōng司sī的deHBM产chǎn能néng。

SK海hǎi力lì士shìHBM混合键合工gōng艺良率lǜ显xiǎn著提tí升shēng，公gōng司sī技jì术shù负责人金钟勋（Kim Jong-hoon）明确表biǎo示shì，采cǎi用yòng混合键合技jì术shù的de12层céngHBM堆duī叠dié结构gòu的de验证工gōng作zuò已yǐ经jīng完成chéng，目mù前qián正zhèng在zài提tí高gāo良率lǜ，以yǐ便biàn将jiāng其qí应yīng用yòng于yú量liàng产chǎn。

此前qiánSK海hǎi力lì士shì高gāo管guǎn在zài业yè绩电diàn话会议上shàng表biǎo示shì，公gōng司sī计jì划huà2027年nián实shí现xiàn下xià一yī代dài高gāo带dài宽kuān内nèi存cún芯xīn片piànHBM4E的de量liàng产chǎn，公gōng司sī计jì划huà今jīn年nián下xià半bàn年nián开始shǐ向xiàng客kè户提tí供HBM4E样yàng品pǐn。

业yè内nèi人士shì透露lù，SK海hǎi力lì士shì通用yòngDRAM的de1c DRAM良率lǜ已yǐ升shēng至zhì80%。该gāi公gōng司sī计jì划huà今jīn年nián将jiāng其qí超chāo过一yī半bàn的deDRAM产chǎn能néng转换为wèi1c工gōng艺产chǎn品pǐn，预yù计jì到年nián底将jiāng确保bǎo约yuē19万wàn片piàn的de产chǎn能néng。

4月yuè22日，SK海hǎi力lì士shì在zài韩hán国guó忠zhōng清qīng北běi道dào清qīng州市shì举行了先进封装设施shīP&T7的de奠基仪式shì，这zhè座总zǒng投tóu资zī19万wàn亿yì韩hán元yuán、占地面积23万wàn平píng方fāng米的de大dà型xíng后端duān工gōng厂chǎng将jiāng专zhuān注于yú制zhì造HBM等děngAI存cún储chǔ器qì产chǎn品pǐn。

2、三sān星xīng电diàn子zi计jì划huà2026年niánQ2出chū货HBM4E样yàng品pǐn

三sān星xīng电diàn子zi则以yǐ多线xiàn布bù局jú为wèi策cè略，加jiā速sù冲刺HBM4E与yǔHBM5产chǎn品pǐn。据jù此前qián韩hán媒méi报bào道dào，三sān星xīng计jì划huà2026年niánQ2出chū货HBM4E样yàng品pǐn，最早5月yuè量liàng产chǎn符合英yīng伟wěi达dá标准zhǔn的de相xiāng关guān样yàng品pǐn。

消xiāo息传出chū，三sān星xīng电diàn子zi近期的de高gāo带dài宽kuān存cún储chǔ器qì（HBM）用yòngDRAM良率lǜ已yǐ大dà幅提tí升shēng，1b DRAM良率lǜ达dá92%、1c DRAM破75%。

受英yīng伟wěi达dá、博通及AMD等děng核hé心xīn客kè户强qiáng劲jìn需xū求qiú的de拉lā动dòng，三sān星xīng电diàn子zi今jīn年nián的deHBM出chū货量liàng预yù计jì将jiāng超chāo过100亿yìGb。三sān星xīng电diàn子zi存cún储chǔ器qì开发fā执zhí行副总zǒng裁黄相xiāng俊表biǎo示shì：“正zhèng在zài快kuài速sù扩大dàHBM的de产chǎn能néng。我们计jì划huà今jīn年nián将jiāng其qí提tí高gāo到去年nián水平píng的de三sān倍bèi以yǐ上shàng。”

据jù韩hán国guó经jīng济日报bào的de报bào道dào，三sān星xīng电diàn子zi计jì划huà向xiàngOpenAI供应yīng其qí下xià一yī代dài高gāo带dài宽kuān内nèi存cún（HBM4）芯xīn片piàn，用yòng于yú这zhè家ChatGPT开发fā商shāng的de首shǒu款自研yán人工gōng智zhì能néng处理lǐ器qì。

前qián沿技jì术shù布bù局jú方fāng面，据jù韩hán媒méi报bào道dào，三sān星xīng电diàn子zi已yǐ确认正zhèng在zài开发fā第dì八代dài高gāo带dài宽kuān内nèi存cún（HBM5），其qí底层céng芯xīn片piàn将jiāng采cǎi用yòng2纳米工gōng艺；对于yú第dì九代dàiHBM5E产chǎn品pǐn，三sān星xīng计jì划huà提tí前qián在zài核hé心xīn芯xīn片piàn上shàng应yīng用yòng基于yú1d（第dì七代dài10纳米级jí）工gōng艺的deDRAM。

3、美měi光guāng积极jí推tuī进全球qiú产chǎn能néng布bù局jú

美měi光guāng科kē技jì则加jiā速sùHBM产chǎn品pǐn追赶gǎn，聚焦jiāoHBM4量liàng产chǎn与yǔ高gāo容róng量liàng产chǎn品pǐn布bù局jú，逐步缩小与yǔ韩hán厂chǎng的de差chà距jù。

据jù报bào道dào，美měi光guāng科kē技jì表biǎo示shì，其qíHBM4产chǎn线xiàn已yǐ于yú今jīn年nián第dì一yī季jì度开始shǐ量liàng产chǎn并出chū货，首shǒu批产chǎn品pǐn为wèi36GB的de12层céng堆duī叠dié（12-high）版本běn，专zhuān为wèiVera Rubin平píng台打造。该gāi公gōng司sī表biǎo示shì，HBM4相xiāng比bǐ上shàng一yī代dàiHBM3E提tí升shēng约yuē2.3倍bèi，同tóng时能néng效提tí升shēng超chāo过20%。

此外，美měi光guāng科kē技jì表biǎo示shì，目mù前qián已yǐ向xiàng客kè户提tí供了16层céng堆duī叠dié（16-high）48GB HBM4的de早期样yàng品pǐn。与yǔ12层céng版本běn相xiāng比bǐ，该gāi型xíng号单dān颗容róng量liàng提tí升shēng33%，能néng够gòu进一yī步提tí升shēng单dān个HBM位置的de可kě用yòng内nèi存cún容róng量liàng。

美měi光guāng科kē技jì首shǒu席xí执zhí行官guān桑杰·梅赫罗特拉lā在zài财cái报bào电diàn话会上shàng表biǎo示shì，存cún储chǔ芯xīn片piàn行业yè供应yīng短缺quē情况预yù计jì持chí续xù到2026年nián以yǐ后，美měi光guāng科kē技jì正zhèng积极jí推tuī进全球qiú产chǎn能néng布bù局jú，预yù计jì2027财cái年nián，公gōng司sī资zī本běn支zhī出chū将jiāng大dà幅增zēng加jiā，主要yào用yòng于yú高gāo带dài宽kuān存cún储chǔ器qì（HBM）和DRAM相xiāng关guān投tóu资zī。

新兴xìng技jì术shù快kuài速sù崛jué起，CXL等děng重zhòng构gòu产chǎn业yè生态tài

在zàiHBM供不bù应yīng求qiú、价jià格gé高gāo企的de背景jǐng下xià，CXL、MRDIMM、SOCAMM2等děng新兴xìng技jì术shù快kuài速sù崛jué起，形成chéng对HBM的de补充与yǔ替代dài，重zhòng构gòu内nèi存cún产chǎn业yè生态tài，提tí供更具性价jià比bǐ的deAI服fú务wù器qì内nèi存cún解决jué方fāng案。

CXL（Compute Express Link）是shì基于yúPCIe 5.0/6.0的de高gāo速sù互连lián标准zhǔn，实shí现xiànCPU、GPU等děng设备高gāo速sù低dī延迟互连lián，带dài宽kuān达dá32GB/s（CXL 3.1），解决juéAI服fú务wù器qì“内nèi存cún墙”瓶颈jǐng。

三sān星xīng电diàn子zi将jiāng于yú第dì三sān季jì度开始shǐ向xiàng主要yào服fú务wù器qì和数据jù中zhōng心xīn厂chǎng商shāng提tí供支zhī持chí下xià一yī代dàiCXL 3.1标准zhǔn的de内nèi存cún模mó块（CMM-D）样yàng品pǐn。澜起科kē技jì在zài2025年nián9月yuè推tuī出chū基于yúCXL 3.1标准zhǔn的deMXC芯xīn片piàn，并已yǐ开始shǐ向xiàng主要yào客kè户送sòng样yàng测试。

MRDIMM（多路复用yòng寄存cún内nèi存cún模mó组）通过集成chéngMRCD/MDB芯xīn片piàn，实shí现xiàn单dān通道dào带dài宽kuān翻倍bèi至zhì17600MT/s，兼容róng现xiàn有DDR5接口，核hé心xīn参cān数为wèi带dài宽kuān17600MT/s、容róng量liàng32GB-128GB、功gōng耗hào<25W。其qí成chéng本běn仅为wèiHBM的de1/10，适shì配AI推tuī理lǐ服fú务wù器qì等děng场chǎng景jǐng。

SOCAMM2是shì一yī款主要yào适shì用yòng于yú智zhì能néng手机jī等děng移yí动dòng端duān设备的de低dī功gōng耗hào内nèi存cún。由英yīng伟wěi达dá主导、三sān星xīng/SK海hǎi力lì士shì量liàng产chǎn，基于yúLPDDR5X技jì术shù，核hé心xīn参cān数为wèi速sù率lǜ9600MT/s、单dān模mó块容róng量liàng最高gāo256GB、功gōng耗hào仅为wèi标准zhǔnDDR5 RDIMM的de1/3，适shì配液冷与yǔ紧凑机jī箱，单dān服fú务wù器qì内nèi存cún容róng量liàng可kě突破4TB。

4月yuè20日，SK海hǎi力lì士shì宣布bù正zhèng式shì量liàng产chǎn192GB容róng量liàngSOCAMM2，面向xiàng英yīng伟wěi达dáVera Rubin平píng台设计jì。SK海hǎi力lì士shì表biǎo示shì：“公gōng司sī采cǎi用yòng1c工gōng艺的deSOCAMM2，是shì专zhuān为wèi高gāo性能néngAI运yùn算suàn优yōu化huà的de解决jué方fāng案。与yǔ传统的deRDIMM相xiāng比bǐ，其qí带dài宽kuān提tí升shēng逾两倍bèi，功gōng耗hào降低dī75%以yǐ上shàng。”

结 语

AI驱动dòng的de内nèi存cún超chāo级jí周期正zhèng全面开启，三sān大dà国guó际原yuán厂chǎng凭借技jì术shù、产chǎn能néng、客kè户三sān重zhòng优yōu势，持chí续xù收shōu割gēAI红利lì。CXL、MRDIMM、SOCAMM2等děng新兴xìng技jì术shù重zhòng构gòu产chǎn业yè生态tài，丰fēng富fùAI服fú务wù器qì的de内nèi存cún解决jué方fāng案，助力lìAI技jì术shù的de规模mó化huà普pǔ及。

随着AI算suàn力lì需xū求qiú的de迭代dài升shēng级jí，内nèi存cún产chǎn品pǐn的de应yīng用yòng场chǎng景jǐng可kě能néng进一yī步拓展zhǎn。展zhǎn望wàng未wèi来lái，内nèi存cún行业yè生态tài有望wàng在zài技jì术shù变革中zhōng不bù断重zhòng塑与yǔ进化huà，展zhǎn现xiàn出chū更强qiáng的de韧rèn性与yǔ活力lì。